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分立半导体
BSC060N10NS3GATMA1参考图片

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BSC060N10NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
BSC060N10NS3 BSC6N1NS3GXT G SP000446584
单位重量
114.250 mg
商品其它信息
优势价格,BSC060N10NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥76.9191
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