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分立半导体
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BSL316CH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
119 mOhms, 113 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC, - 2.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.3 S, 2.7 S
下降时间
1 ns, 7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns, 6.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.8 ns, 14.3 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns, 5 ns
零件号别名
BSL316C H6327 SP001101010
单位重量
14.810 mg
商品其它信息
优势价格，BSL316CH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RZF020P01TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET
1:¥3.616
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:9720
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 1A
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.80682
参考库存:8360
DMC264000R
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:7563
MCR69-3G
Littelfuse
分立半导体
SCR 100V 25A
1:¥14.9047
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5035
DTC114EET1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:22377
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