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分立半导体
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FF450R12KE4

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数量单价合计
1
¥1,217.3716
1217.3716
5
¥1,188.1046
5940.523
10
¥1,158.589
11585.89
25
¥1,142.3848
28559.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
520 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KE4HOSA1 SP000370610
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格，FF450R12KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N740
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:27518
1N6336
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
50:¥65.2349
参考库存:27521
CSD87355Q5DT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
250:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
2,500:¥9.9101
5,000:¥9.5259
参考库存:27524
AUIRLR2703
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0568
参考库存:27527
TT170N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 350A DUAL
1:¥1,106.6542
5:¥1,084.9017
10:¥1,034.3455
25:¥1,012.593
参考库存:27530
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