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分立半导体
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FDMD8560L

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数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
3,000
¥12.2944
36883.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power 5 x 6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms, 5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
92 nC, 92 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMD8560L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
98 S, 98 S
下降时间
11 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns, 57 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 20 ns
单位重量
94.850 mg
商品其它信息
优势价格，FDMD8560L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ4686-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:13340
BZX55B9V1-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 2%
1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:27066
APT200GN60B2G
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥171.2741
参考库存:1240
MMSZ5258B-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 36V 500mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:11685
MMBZ5233B-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 350MW 6.0V
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:9152
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