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分立半导体
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SCT50N120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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数量单价合计
1
¥269.9344
269.9344
5
¥267.0981
1335.4905
10
¥248.9616
2489.616
25
¥237.8198
5945.495
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HiP-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
65 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
318 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
HiP247â?¢
封装
Tube
系列
SCT50N120
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，SCT50N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFD4C50NT3G
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7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
参考库存:33178
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