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分立半导体
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IPI70N10SL-16

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库存：2,935(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.8368
6418.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
250 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
250 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPI70N10SL16AKSA1 IPI7N1SL16XK SP000225705
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI70N10SL-16的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD138
STMicroelectronics
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
1:¥3.2996
10:¥2.5199
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1,000:¥1.02943
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1:¥40.8834
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100:¥30.1258
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参考库存:5195
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