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分立半导体
BSC196N10NS G参考图片

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BSC196N10NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:12,391(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.7968
3796.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
19.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N1NSGXT SP000379604
单位重量
188 mg
商品其它信息
优势价格,BSC196N10NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 33V, ZENER
1:¥4.1471
10:¥2.3843
100:¥1.9323
500:¥1.1413
1,800:¥0.76049
9,000:查看
参考库存:26208
分立半导体
整流器 1.5A,200V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥5.2997
10:¥4.7686
100:¥3.1301
1,000:¥1.04525
3,500:¥0.86106
参考库存:26211
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 0.8 Watt 5%
1:¥5.4579
10:¥3.1527
100:¥2.5425
500:¥1.5029
1,800:¥1.00683
9,000:查看
参考库存:26214
分立半导体
稳压二极管 1W, 200V, ZENER
1:¥5.989
10:¥3.4578
100:¥2.8024
500:¥1.6498
1,800:¥1.10627
9,000:查看
参考库存:26217
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.1471
10:¥3.4578
25:¥3.0171
100:¥2.5877
1,800:¥1.2995
3,600:查看
参考库存:26220
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