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分立半导体
BSS131H6327XTSA1参考图片

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BSS131H6327XTSA1

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库存:111,382(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
110 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.06 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.7 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
零件号别名
BSS131 BSS131H6327XT H6327 SP000702620
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS131H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥58.3984
10:¥52.7936
25:¥50.3302
100:¥43.7197
参考库存:3080
分立半导体
MOSFET 60V 225mW
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:38867
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -3A Ic MPT3
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:4472
分立半导体
MOSFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1585
500:¥5.4466
参考库存:4986
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 0.35W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.32318
参考库存:4498
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