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分立半导体
STGB20N40LZ参考图片

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STGB20N40LZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
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数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9157
8915.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
425 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
16 V
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB20N40LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20N40LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
1:¥4.1471
10:¥3.2318
100:¥2.2261
500:¥1.5255
参考库存:18202
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,30V,Micro SMA SCHOTTKY Rect
1:¥3.2318
10:¥2.5312
100:¥1.7515
500:¥1.1978
3,000:¥0.79891
6,000:查看
参考库存:18205
分立半导体
MOSFET 30V P channel MOSFET
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥3.0058
500:¥2.2035
3,000:¥1.5142
6,000:查看
参考库存:18208
分立半导体
稳压二极管 1.5W, VR=38.8V
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.05316
5,000:¥0.90626
参考库存:18211
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 25.65V to 28.35V
3,000:¥1.08367
6,000:¥1.08367
9,000:¥1.01474
24,000:¥0.9605
45,000:¥0.9379
99,000:¥0.89948
参考库存:18214
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