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分立半导体
SPP17N80C3参考图片

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SPP17N80C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
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库存:1,239(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.8884
278.884
100
¥24.2046
2420.46
250
¥22.9729
5743.225
500
¥20.5886
10294.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683164 SPP17N80C3XKSA1 SPP17N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SPP17N80C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.43844
6,000:¥0.43844
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.28476
参考库存:36400
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:1463
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:1567
分立半导体
整流器 Freds - TO-247-e3
1:¥27.3573
10:¥22.6678
100:¥18.6676
250:¥18.0574
500:¥16.2155
参考库存:1692
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 47V 2% 550mW 2-Pin
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:13106
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