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分立半导体
BSD235CH6327XTSA1参考图片

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BSD235CH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
950 mA, 530 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms, 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV, 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
340 pC, - 400 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
BSD235
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
700 mS, 2 S
下降时间
1.2 ns, 3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.5 ns, 5.1 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSD235C BSD235CH6327XT H6327 SP000917610
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,BSD235CH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 1200V 55A Isolated
1:¥51.4828
10:¥46.33
25:¥42.262
50:¥41.1885
参考库存:5024
分立半导体
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:6562
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
3,000:¥6.4523
6,000:查看
参考库存:8478
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 2A Schottky Barrier Rectifier
1:¥3.2996
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69156
参考库存:34512
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:7597
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