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分立半导体
STAC1011-350参考图片

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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RZF020P01TL
ROHM Semiconductor
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1:¥3.616
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
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CRS01(TE85L,Q,M)
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500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:7563
MCR69-3G
Littelfuse
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SCR 100V 25A
1:¥14.9047
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100:¥9.605
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DTC114EET1G
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:22377
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