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分立半导体
STGWA15S120DF3参考图片

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STGWA15S120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 15 A low drop
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库存:4,918(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.9405
52.9405
10
¥47.8668
478.668
25
¥45.6407
1141.0175
100
¥39.6517
3965.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA15S120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格,STGWA15S120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 400V .8A 500uA
1:¥5.989
10:¥4.6217
100:¥3.503
500:¥2.9832
1,000:¥2.3843
2,000:¥2.3843
参考库存:3947
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
参考库存:2326
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 300V
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.2209
1,000:¥9.2999
参考库存:2211
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 3v6
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02152
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:21438
分立半导体
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
2,500:¥7.0738
5,000:查看
参考库存:4465
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