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分立半导体
BDP 948 H6327参考图片

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BDP 948 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.0171
301.71
1,000
¥2.4182
2418.2
2,000
¥2.147
4294
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
BDP948H6327XTSA1 SP000748378
商品其它信息
优势价格,BDP 948 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V Vds 12V Vgs SOT-23
1:¥3.3787
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
参考库存:78701
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
参考库存:1109
分立半导体
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
2,500:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:1286
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:20216
分立半导体
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:6715
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