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分立半导体
SIAA00DJ-T1-GE3参考图片

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SIAA00DJ-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
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库存：9,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.4748
44.748
100
¥3.4013
340.13
500
¥2.8024
1401.2
1,000
¥2.2487
2248.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
66 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SIAA00DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F12-25R12KT4G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 25A
1:¥748.4216
5:¥734.6695
10:¥701.6283
25:¥678.2712
参考库存:4125
FP50R12KT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥797.7574
5:¥783.0787
10:¥747.8792
25:¥722.9062
参考库存:4117
APT38F50J
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥198.4732
5:¥189.5688
10:¥183.6476
25:¥168.7429
参考库存:4131
IPA65R065C7
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4604
B485F-2
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 DIODE MODULE 480VAC 50ADC 1200VP
1:¥362.843
10:¥345.554
25:¥337.7118
50:¥329.8018
参考库存:4117
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