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分立半导体

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APT35GT120JU3

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库存:3,232(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.2343
279.2343
5
¥268.3298
1341.649
10
¥258.1824
2581.824
25
¥237.2774
5931.935
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
260 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT35GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:5362
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:7685
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
1,000:¥4.5539
参考库存:5591
分立半导体
MOSFET MOSFET,P-CHANNEL 60V, -3.4A/-2.8A
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:6400
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPLEX DISCRETE S2022D/SOT45
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:12469
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