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分立半导体

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BSM10GP60

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数量单价合计
1
¥563.8474
563.8474
5
¥553.474
2767.37
10
¥539.1908
5391.908
25
¥528.5801
13214.5025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
80 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM10GP60BOSA1 SP000095939
商品其它信息
优势价格,BSM10GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 Bridge Diode
1:¥18.2156
10:¥15.6731
100:¥13.9894
250:¥13.0628
参考库存:19664
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5,000:¥1.243
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暂无价格
参考库存:19669
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5,000:¥2.1357
参考库存:19672
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二极管 - 通用,功率,开关 TRIPLE HIGH VOLTAGE
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:19675
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