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分立半导体

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APTGT35H120T3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:1,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.0328
543.0328
5
¥526.0489
2630.2445
10
¥510.0594
5100.594
25
¥487.0865
12177.1625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT35H120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 1000VOLT
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.4916
500:¥1.2317
3,000:¥0.7684
9,000:查看
参考库存:11494
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN medium power transistors
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:15286
分立半导体
桥式整流器 GBPC GPP 50A 1000V Rect. Bridge Diode
1:¥26.894
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:4699
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 40V
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:5848
分立半导体
整流器 100V 1A Fast
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:21586
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