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分立半导体
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BSM35GD120DN2E3224

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库存:4,486(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥834.0982
834.0982
5
¥818.8093
4094.0465
10
¥781.9261
7819.261
25
¥755.8796
18896.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 SP000091898
单位重量
184 g
商品其它信息
优势价格,BSM35GD120DN2E3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Tight Tol Zener 200mW 3.72V 5mA 10uA
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:6870
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:10750
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 45V
1:¥23.6622
10:¥20.0575
100:¥17.4472
250:¥16.5206
500:¥14.8256
参考库存:2571
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 30V 2% 500mW 2-Pin
1:¥1.6159
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
5,000:¥0.25312
参考库存:5512
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:3251
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