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分立半导体
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HGTG12N60C3D

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1
¥48.8725
48.8725
10
¥41.5727
415.727
100
¥36.0357
3603.57
250
¥34.1938
8548.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
104 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG12N60C3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
24 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG12N60C3D_NL
单位重量
6.400 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:26725
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稳压二极管 33V 250mW
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10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:9557
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1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
参考库存:23269
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1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.09836
参考库存:10051
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