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分立半导体
IRG4PSH71KDPBF参考图片

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IRG4PSH71KDPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz
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数量单价合计
1
¥109.1919
109.1919
10
¥100.4344
1004.344
25
¥96.276
2406.9
100
¥84.8291
8482.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.97 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001547842
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PSH71KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 50 Volt 150ns
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100:¥4.9607
500:¥4.3844
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参考库存:27056
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11
10,000:¥0.13786
20,000:¥0.13108
50,000:¥0.11526
100,000:¥0.09266
参考库存:27059
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5,000:¥4.9155
10,000:¥4.7234
参考库存:27062
分立半导体
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4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:27065
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