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分立半导体
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BSM25GP120

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数量单价合计
1
¥873.9759
873.9759
5
¥857.9186
4289.593
10
¥819.2726
8192.726
25
¥791.9944
19799.86
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
1600 V
集电极—射极饱和电压
2.55 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
230 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM25GP120BOSA1 SP000095940
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格，BSM25GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B20S RR
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10:¥1.6159
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参考库存:26354
BZT52B3V3S RR
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 3V3
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:26357
BZX84C3V0 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,0v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
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BZT55B47 L1 G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 47v
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:26363
BZT55C39 L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 39v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:26366
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