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分立半导体

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FF100R12KS4

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数量单价合计
1
¥678.339
678.339
5
¥665.8977
3329.4885
10
¥635.9301
6359.301
25
¥614.72
15368
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF100R12KS4HOSA1 SP000100705
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF100R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4616D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,298.7542
参考库存:25146
CDLL5236A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥23.052
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:25149
JANTXV1N3043DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥361.374
250:¥337.2485
参考库存:25152
JANTX1N5528DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥299.902
250:¥279.9236
参考库存:25155
JAN1N5528DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥293.8339
250:¥274.2397
参考库存:25158
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