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分立半导体
HGTG11N120CND参考图片

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HGTG11N120CND

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库存:1,702(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5998
1859.98
250
¥17.6732
4418.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
43 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG11N120CND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
43 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG11N120CND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG11N120CND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 30-34V 10mA SOD-123FL; PMDU
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:5145
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1,500:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3617
参考库存:46115
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:11650
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:11702
分立半导体
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3154
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