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分立半导体
HGTG11N120CND参考图片

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HGTG11N120CND

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库存:1,702(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5998
1859.98
250
¥17.6732
4418.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
43 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG11N120CND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
43 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG11N120CND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG11N120CND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:10010
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.35W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.30736
参考库存:13077
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5 Watt 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:17129
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40volt 1.0amp
1:¥4.1471
10:¥2.8137
100:¥1.8984
500:¥1.5255
10,000:¥0.92208
参考库存:9593
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 2%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:16240
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