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BSM50GAL120DN2

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数量单价合计
1
¥534.264
534.264
5
¥524.433
2622.165
10
¥510.9069
5109.069
25
¥500.8386
12520.965
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
400 W
封装 / 箱体
Half Bridge GAL 1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GAL120DN2HOSA1 SP000101727
单位重量
250 g
商品其它信息
优势价格，BSM50GAL120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N3032C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥148.3012
250:¥136.0859
500:¥129.4754
参考库存:36934
JAN1N4972C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥107.4969
250:¥98.0501
500:¥91.7447
1,000:¥84.1398
参考库存:36937
JAN1N4626DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥169.9746
250:¥155.9852
500:¥148.4594
参考库存:36940
1N6857UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器
100:¥90.2079
200:¥82.2188
500:¥76.9191
1,000:¥70.5346
参考库存:36943
JANTX1N4134C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥99.2027
200:¥90.4452
500:¥84.6031
1,000:¥77.6084
参考库存:36946
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