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分立半导体
BF 998 E6327参考图片

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BF 998 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF998
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V to 12 V
零件号别名
BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,BF 998 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
变容二极管 10V C1=9.7-11.1pF
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:7801
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH DIODE GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.52206
500:¥0.40002
3,000:¥0.23843
9,000:查看
参考库存:34350
分立半导体
稳压二极管 500MW 3.6V
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.23052
参考库存:11026
分立半导体
整流器 1600 Volt 40 Amp
1:¥78.2186
10:¥70.3877
50:¥64.1614
100:¥57.9351
参考库存:3413
分立半导体
MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
1:¥15.8313
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:3679
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