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分立半导体
BSM100GB120DLCK参考图片

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BSM100GB120DLCK

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库存:4,207(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥761.0211
761.0211
5
¥747.043
3735.215
10
¥713.3803
7133.803
25
¥689.639
17240.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
835 W
封装 / 箱体
32 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCKHOSA1 SP000095924
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,BSM100GB120DLCK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SS SWCH DIO SPCL
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
10,000:¥0.46895
20,000:查看
参考库存:26580
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
10,000:¥0.5763
20,000:¥0.53788
参考库存:26583
分立半导体
稳压二极管 9.1Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:26586
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.5W 2% AUTO
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:26589
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.3W 2% CA
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:26592
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