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分立半导体
BSC082N10LS G参考图片

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BSC082N10LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:3,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.0627
5531.35
5,000
¥8.2264
41132
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC082N10LSGATMA1 BSC82N1LSGXT SP000379609
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,BSC082N10LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
1:¥5.763
10:¥5.2206
100:¥3.4126
1,000:¥1.1413
1,800:¥0.94468
参考库存:18221
分立半导体
桥式整流器 35A, 600V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.8206
10:¥24.1255
50:¥19.5151
100:¥16.7466
500:¥14.0572
参考库存:18224
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diode
暂无价格
参考库存:18227
分立半导体
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 9A 3PIN
1:¥23.6622
10:¥20.0575
100:¥17.4472
250:¥16.5206
1,000:¥12.5204
2,000:查看
参考库存:18230
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:18233
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