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分立半导体
BSC079N10NS G参考图片

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BSC079N10NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:12,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
1,000
¥9.1417
9141.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13.4 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
BSC079N10NSGATMA1 BSC79N1NSGXT SP000379590
商品其它信息
优势价格,BSC079N10NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 25A Bridge Rectifier
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
500:¥17.8992
参考库存:4116
分立半导体
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
参考库存:13259
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 40 Volt
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.2035
500:¥1.808
750:¥1.4012
参考库存:6811
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:8233
分立半导体
SCR SCR 600V 70A
1:¥52.3303
10:¥47.0984
25:¥42.9513
100:¥38.7251
参考库存:4021
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