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分立半导体
HGTG40N60A4参考图片

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HGTG40N60A4

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数量单价合计
1
¥86.219
86.219
10
¥79.3034
793.034
25
¥75.9925
1899.8125
100
¥66.9299
6692.99
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG40N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG40N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG40N60A4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 40W SGL 200mA 12.24V Single Zener diodes
1:¥2.7685
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:10041
分立半导体
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1:¥1.07576
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:36669
分立半导体
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1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
8,000:¥0.25312
24,000:查看
参考库存:33393
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 DUAL CPR CMDTY PBF
1:¥1.8419
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:38830
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:12281
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