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分立半导体
BF 2040 E6814参考图片

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BF 2040 E6814

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
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1
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3.3787
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.72998
2189.94
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 mA
Vds-漏源极击穿电压
8 V
增益
23 dB
输出功率
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF2040
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
37 mS
通道模式
Depletion
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
零件号别名
BF2040E6814HTSA1 BF24E6814XT SP000012215
商品其它信息
优势价格，BF 2040 E6814的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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