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分立半导体
BSM75GAL120DN2参考图片

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BSM75GAL120DN2

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库存:1,877(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥625.5567
625.5567
5
¥614.1098
3070.549
10
¥586.4474
5864.474
25
¥566.921
14173.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge GAL 1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GAL120DN2HOSA1 SP000106455
商品其它信息
优势价格,BSM75GAL120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 2v7
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:25441
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 18v
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:25444
分立半导体
稳压二极管 1.0W, VR=10V
1:¥4.3053
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.1526
2,000:¥0.99101
参考库存:25447
分立半导体
稳压二极管 zener 500mW 4V7
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:13309
分立半导体
稳压二极管 Zener 200mW 3v3
1:¥2.0792
10:¥1.921
100:¥1.05316
1,000:¥0.3842
8,000:¥0.25312
24,000:查看
参考库存:25452
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