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分立半导体
BSM10GP120参考图片

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BSM10GP120

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库存:1,820(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥653.0609
653.0609
5
¥641.0716
3205.358
10
¥612.2566
6122.566
25
¥591.8262
14795.655
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
100 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM10GP120BOSA1 SP000014914
商品其它信息
优势价格,BSM10GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 400V .8A 500uA
1:¥5.989
10:¥4.6217
100:¥3.503
500:¥2.9832
1,000:¥2.3843
2,000:¥2.3843
参考库存:3947
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Barrier
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
参考库存:2326
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 300V
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.2209
1,000:¥9.2999
参考库存:2211
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 3v6
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02152
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:21438
分立半导体
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
2,500:¥7.0738
5,000:查看
参考库存:4465
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