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分立半导体
IRG4PH40UDPBF参考图片

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IRG4PH40UDPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
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数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥41.0303
410.303
100
¥35.5724
3557.24
250
¥33.7305
8432.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.43 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
160 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
41 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001537144
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PH40UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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