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分立半导体
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STW45N60DM6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
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数量单价合计
1
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51.2568
10
¥46.33
463.3
25
¥44.183
1104.575
100
¥38.3409
3834.09
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW45N60DM6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，STW45N60DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA316B-600CTJ
WeEn Semiconductors
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双向可控硅 BTA316B-600CTJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
4,800:¥3.1753
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100:¥181.6475
300:¥166.6637
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参考库存:24281
GC4944-12
Microsemi
分立半导体
PIN 二极管
40:¥136.165
50:¥132.9332
100:¥126.56
250:¥116.1075
参考库存:24284
US1AHE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
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7,500:¥0.80682
22,500:¥0.7458
参考库存:24287
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分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR
8,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
48,000:¥0.65314
100,000:¥0.63054
参考库存:24290
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