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分立半导体
STGB25N40LZAG参考图片

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STGB25N40LZAG

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.25 V
栅极/发射极最大电压
16 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB25N40LZAG
资格
AEC-Q101
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB25N40LZAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:27552
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.67574
20,000:¥0.63054
参考库存:27555
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥6.2037
6,000:¥5.9777
9,000:¥5.5257
参考库存:27558
分立半导体
双向可控硅 400V .8A
2,000:¥3.3448
参考库存:27561
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:27564
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