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分立半导体
STF11N60DM2参考图片

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STF11N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1077
3553.85
1,000
¥5.8873
5887.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF11N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
11.7 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STF11N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.2487
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
20,000:查看
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1:¥82.2188
10:¥67.3932
100:¥55.935
500:¥51.0195
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
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1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
800:¥3.1075
参考库存:5007
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥3.7629
10:¥2.4182
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:14393
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