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分立半导体
STGE200NB60S参考图片

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STGE200NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
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库存:2,387(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥214.7678
214.7678
5
¥212.5417
1062.7085
10
¥198.089
1980.89
25
¥189.2524
4731.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.1 mm
长度
38.2 mm
系列
STGE200NB60S
宽度
25.5 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
28 g
商品其它信息
优势价格,STGE200NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
5,000:¥0.46104
10,000:查看
参考库存:27455
分立半导体
稳压二极管 ZENER VOLTAGE REGULATOR
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:27458
分立半导体
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
10,000:¥0.56048
20,000:¥0.52997
参考库存:27461
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
3,000:¥0.49155
6,000:查看
参考库存:27464
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:27467
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