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分立半导体
IPP111N15N3GXKSA1参考图片

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IPP111N15N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:1,564(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
G IPP111N15N3 IPP111N15N3GXK SP000677860
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP111N15N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥58.3984
10:¥52.7936
25:¥50.3302
100:¥43.7197
参考库存:3080
分立半导体
MOSFET 60V 225mW
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:38867
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -3A Ic MPT3
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:4472
分立半导体
MOSFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1585
500:¥5.4466
参考库存:4986
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 0.35W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.32318
参考库存:4498
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