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BD139

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Audio Amplifier
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库存：9,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.3165
231.65
1,000
¥1.7854
1785.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD139
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格，BD139的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:31670
PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:31673
BZW03D130-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 130 Volt 20W 10%
12,500:¥3.9437
参考库存:31676
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:31679
APTM10SKM02G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥955.2794
参考库存:31682
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