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分立半导体
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IRLU120NPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
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10
¥4.9155
49.155
100
¥3.1753
317.53
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¥2.5425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001567330
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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