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分立半导体
BSS138Q-7-F参考图片

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BSS138Q-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 50V N-Ch Enh FET 20Vgss 300Pd 200mA
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数量单价合计
1
¥2.0792
2.0792
10
¥1.4577
14.577
100
¥0.60681
60.681
1,000
¥0.41471
414.71
3,000
¥0.32318
969.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BSS138
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS138Q-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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5:¥569.0793
10:¥554.3215
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100:¥7.8422
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5:¥302.3654
10:¥290.6134
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10:¥10.5316
100:¥8.1473
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参考库存:23314
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