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分立半导体
STLD200N4F6AG参考图片

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STLD200N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package
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库存:6,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STLD200N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
440 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
600 ns
典型接通延迟时间
150 ns
商品其它信息
优势价格,STLD200N4F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRNSTR
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:17418
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:1792
分立半导体
PIN 二极管 Ls=.4nH SC-70 Low Inductance
1:¥4.9946
10:¥4.4296
100:¥3.4013
250:¥2.7685
3,000:¥1.9436
6,000:查看
参考库存:6992
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A Trench SBR 60V 25A 0.6Vf 0.15mA
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:3924
分立半导体
肖特基二极管与整流器 204 FC SCHOTTKY DIODES
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
5,000:¥0.77631
参考库存:13788
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