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分立半导体
BCY59-VIII参考图片

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BCY59-VIII

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
1
¥15.368
15.368
10
¥13.673
136.73
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 At 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY59-VIII PBFREE
单位重量
312.400 mg
商品其它信息
优势价格，BCY59-VIII的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR20100FCT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A SCHOTTKY RECTIFIER
1,000:¥7.8422
2,000:¥7.0851
5,000:¥6.9947
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PTFB182503FL-V2-R250
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥823.8039
参考库存:27871
QPD2796
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
250:¥648.6878
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1N2128AR
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分立半导体
整流器 50V 60A REV Leads Std. Recovery
300:¥60.3985
500:¥56.5565
1,000:¥51.867
参考库存:27877
D1FH3-5073
Shindengen
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VRM=30 IFSM=60
7,500:¥3.2996
22,500:¥3.0849
参考库存:27880
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