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分立半导体
STGIPNS3H60T-H参考图片

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STGIPNS3H60T-H

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥56.1723
561.723
25
¥53.562
1339.05
100
¥46.4882
4648.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
Pd-功率耗散
6.6 W
封装 / 箱体
NSDIP-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGIPNS3H60T-H
商标
STMicroelectronics
安装风格
SMD/SMT
湿度敏感性
Yes
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格，STGIPNS3H60T-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S6008VS3TP
Littelfuse
分立半导体
SCR 8A 600V Sensing
1:¥10.5994
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
1,000:¥4.4748
参考库存:4525
PDZ13B,135
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 13V 400mW Volt regulator diode
1:¥1.4577
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39438
1N4754A TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1.0W 37.05, 40.95V 6.5mA 1.0K Ohm
5,000:¥0.73789
10,000:¥0.73789
参考库存:23780
PHP20N06T,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET RAIL MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1189
500:¥4.5313
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DF005ST-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 DFS GPP 1A 50V
1:¥3.7629
10:¥2.8024
100:¥1.9097
1,000:¥1.3221
2,000:¥1.13
参考库存:39446
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