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分立半导体
BUK7Y1R7-40HX参考图片

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BUK7Y1R7-40HX

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET Mosfet1.7ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
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库存：6,521(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9834
3491.7
1,500
¥5.3901
8085.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
950 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
294 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
Trench 9
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
16.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.6 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.2 ns
典型接通延迟时间
14.6 ns
商品其它信息
优势价格，BUK7Y1R7-40HX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7386DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
3,000:¥6.9834
参考库存:10641
STGIPN3H60
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:3248
VS-90MT160KPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1600 Volt 90 Amp
1:¥530.2751
5:¥519.7435
10:¥498.0023
25:¥481.945
参考库存:2768
STF3N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
参考库存:4755
STPS30150CW
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X15 Amp 150 Volt
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
参考库存:5015
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