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分立半导体
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STGD20N45LZAG

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—射极饱和电压
1.25 V
栅极/发射极最大电压
16 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD20N45LZAG
资格
AEC-Q101
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGD20N45LZAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-T90RIA120S90
Vishay Semiconductors
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SCR模块 90 Amp 1200 Volt
1:¥358.1535
5:¥348.6276
10:¥335.1015
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JANTX1N5290UR-1
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稳流二极管 Current Regulator
100:¥257.414
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VS-70HFL20S05
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100:¥83.2132
200:¥75.9134
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10:¥48.1832
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100:¥39.5726
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SS2FH10HM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
20,000:¥0.79891
参考库存:27359
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