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分立半导体
APT50GS60BRG参考图片

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APT50GS60BRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
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库存：4,686(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.8564
65.8564
10
¥59.2459
592.459
25
¥54.014
1350.35
50
¥50.3302
2516.51
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
93 A
Pd-功率耗散
415 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
93 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
93 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt HS
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT50GS60BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2DC4617R-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.6159
10:¥1.4351
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:19830
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
参考库存:3201
BF886H6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:4834
TZM5245B-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 0.5 Watt 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:11493
VS-12TQ040-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 15A IF Single TO-220AC
1:¥8.9157
10:¥7.3337
100:¥5.6274
500:¥4.8364
参考库存:5919
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