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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	1.7 V
在25 C的连续集电极电流	153 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	446 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GN120JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-30TPS08-M3	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	SCR New Input Thyristor - TO-247-e3	1:¥53.0196 10:¥43.957 100:¥36.1939 250:¥35.0413 500:¥31.4253	参考库存:4566
SURD8330T4G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 3A 300V ULTRAFAST RECTIF	1:¥16.0573 10:¥13.673 100:¥10.9158 500:¥9.605 2,500:¥7.3563 5,000:查看	参考库存:6568
IPD350N06L G	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 29A DPAK-2	1:¥6.2263 10:¥5.1867 100:¥3.3448 1,000:¥2.6781 2,500:¥2.26	参考库存:5222
HUFA76429D3	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch	1:¥13.447 10:¥11.4469 100:¥9.1417 500:¥7.9891 1,000:¥6.6105	参考库存:6446
EM6K31T2R	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN	1:¥3.2318 10:¥2.6781 100:¥1.6385 1,000:¥1.2656 8,000:¥1.00683 24,000:查看	参考库存:15079