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分立半导体
BC807-25W,135参考图片

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BC807-25W,135

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
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数量单价合计
1
¥1.2317
1.2317
10
¥1.1865
11.865
100
¥0.41471
41.471
1,000
¥0.27685
276.85
10,000
¥0.18419
1841.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 100 mA, 1 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
/T3 BC807-25W
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，BC807-25W,135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F12-25R12KT4G
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 25A
1:¥748.4216
5:¥734.6695
10:¥701.6283
25:¥678.2712
参考库存:4125
FP50R12KT4
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
1:¥797.7574
5:¥783.0787
10:¥747.8792
25:¥722.9062
参考库存:4117
APT38F50J
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥198.4732
5:¥189.5688
10:¥183.6476
25:¥168.7429
参考库存:4131
IPA65R065C7
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥56.2514
10:¥50.7935
25:¥48.4883
100:¥42.1038
参考库存:4604
B485F-2
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 DIODE MODULE 480VAC 50ADC 1200VP
1:¥362.843
10:¥345.554
25:¥337.7118
50:¥329.8018
参考库存:4117
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